| 一种提高光刻胶曝光精度的方法; 一种提高光刻胶曝光精度的方法 |
| 毛旭; 杨晋玲; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-07
; 2012-02-15
; 2012-09-07
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种提高光刻胶曝光精度的方法,该光刻胶对紫外光具有高透射性,该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。本发明通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或全吸收,减小了透射紫外光的影响,大幅提高了曝光精度,能够有效避免经光刻机晶片托盘反射的紫外光对光刻胶进行二次曝光,从而提高光刻精度,可以应用于任意透明衬底上对任意高透射性光刻胶的高精度曝光。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 申请日期 | 2011-11-03
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| 专利号 | CN102354087A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110344422.7
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23345
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
毛旭,杨晋玲,杨富华. 一种提高光刻胶曝光精度的方法, 一种提高光刻胶曝光精度的方法. CN102354087A.
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