SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法; 一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法
王岩; 李京波; 王美丽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2011-08-17 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法,包括以下几个步骤:取普通玻璃的衬底;在衬底上制备掺F的SnO2透明导电膜,得到FTO玻璃衬底;在掺F的SnO2透明导电膜上制备TiO2纳米线阵列,TiO2纳米线阵列的优点在于能提供直接电子通路,减少电子复合;采用丝网印刷在制备好的TiO2纳米线阵列的表面印刷TiO2纳米晶多孔薄膜,TiO2纳米晶多孔薄膜的优点在于具有较高的比表面积,利于染料的吸附;退火,使TiO2纳晶多孔薄膜的TiO2浆料中的有机溶剂挥发,得到TiO2纳米线阵列/TiO2纳米晶多孔复合薄膜;将TiO2纳米线阵列/TiO2纳米晶多孔复合薄膜在染料溶液中浸泡,取出后洗去表面残留的染料溶液,晾干,得到TiO2纳米线阵列/纳晶多孔薄膜复合电极。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
申请日期2011-03-21
专利号CN102157265A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110067722.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23331
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王岩,李京波,王美丽. 一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法, 一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法. CN102157265A.
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一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方(326KB) 限制开放使用许可请求全文
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