SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
CMOS图像传感器全局曝光像素单元; CMOS图像传感器全局曝光像素单元
周杨帆; 吴南健; 曹中祥; 李全良; 秦琦
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2012-05-09 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种CMOS图像传感器全局曝光像素单元,包括依次连接的光电二极管、信号读出电路、信号放大电路、信号采样保持电路和信号输出电路,光电二极管用于采集入射光线的原始信息,将采集的目标图像光信号转换成电信号;信号读出电路用于读出光电转换完成后光电二极管中的电信号,并将其保存在节点FD,节点FD的信号被所述信号放大电路放大;信号放大电路含有一个运算放大器,用于对节点FD所存储的信号进行放大,放大后的信号输出给信号采样保持电路;信号采样保持电路用于对信号放大电路的输出信号进行采样保持;信号输出电路用于采样信号采样保持电路中采样保持的信号并输出。利用本发明,解决了CMOS图像传感器中现有全局曝光像素噪声大的问题。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
申请日期2012-01-17
专利号 CN102447848A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201210014829.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23319
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
周杨帆,吴南健,曹中祥,等. CMOS图像传感器全局曝光像素单元, CMOS图像传感器全局曝光像素单元.  CN102447848A.
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