| 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法; 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法 |
| 金兰; 曲胜春; 徐波
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2012-08-29
; 2012-08-29
; 2012-08-29
; 2012-08-29
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法,包括如下步骤：步骤1：利用不同的电解液制备不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板；步骤2：在一GaAs晶片上外延500nm的GaAs平滑层,用于屏蔽GaAs晶片中的缺陷,形成原始衬底；步骤3：将具有不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板分别覆盖在原始衬底的平滑层上；步骤4：在室温下,将磁性离子Mn注入到平滑层内；步骤5：利用饱和的氢氧化钠溶液清洗掉阳极氧化铝模板；步骤6：退火,完成图形化衬底的制备。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
|
| 申请日期 | 2011-12-29
|
| 专利号 | CN102169820A
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201110009971.9
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23316
|
| 专题 | 半导体材料科学中心
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
金兰,曲胜春,徐波. 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法, 制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法. CN102169820A.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论