| 水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 | |
| 付英春 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 杨富华 ; 王晓峰 |
| 2012 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 集成电路工程 |
| 学科领域 | 微电子学 |
| 公开日期 | 2012-06-25 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23180 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付英春. 水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2012. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 付英春_硕士论文.pdf（5214KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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