| 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 |
| 李彦波 ; 张杨; 曾一平
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离层生长在沟道层上；一掺杂层，该掺杂层生长在锑化物隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在掺杂层上；一帽层，该帽层生长在上势垒层上。本发明同时公开了一种制造锑化物高电子迁移率晶体管的方法。利用本发明，通过采用复合缓冲层，使得晶体管结构材料的质量获得很大的提高，可获得更好的沟道电子输运特性，提高器件的输出特性，充分发挥该种器件的高频、高速、低功耗特性，有效提高了器件的稳定性和可靠性。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN200910236705.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910236705.2
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22323
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李彦波,张杨,曾一平. 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法. CN200910236705.2.
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