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用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺
殷海波; 王晓亮; 胡国新; 冉军学; 肖红领; 张露; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺,包括以下步骤:在纯度≥98%、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂,采用干式混合法形成混合物;采用干压成型工艺压制成型以形成坯体;对坯体进行高温真空烧结;对烧结后的坯体磨削加工以形成衬托盘。本发明还涉及一种采用上述工艺制作而成的用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘。
部门归属半导体材料科学中心
专利号CN201010033965.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010033965.2
专利代理人王新华
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22313
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
殷海波,王晓亮,胡国新,等. 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺. CN201010033965.2.
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