| 一种制作黑硅材料的方法 | |
| 朱洪亮; 梁松; 韩培德; 林学春; 王宝华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。本发明将长波光源作用深度深、短波光源作用深度浅的特点同时融入黑硅材料的制作中，拓展了硫系掺杂物和硅微锥、微粒和微洞在表面层的范围，所以能够更充分地吸收入射光，将全太阳光谱的吸收系数提高到90％以上。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910078865.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910078865.9 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22279 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 朱洪亮,梁松,韩培德,等. 一种制作黑硅材料的方法. CN200910078865.9. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910078865.9.pdf（269KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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