| 垂直发射量子级联激光器结构 | |
郭万红; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 江宇超; 李路 ; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层；金属光栅层，该金属光栅层位于接触层的上面，并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN201010171511.1 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010171511.1 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22207 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭万红,刘俊岐,陆全勇,等. 垂直发射量子级联激光器结构. CN201010171511.1. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010171511.1.pdf（311KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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