| 提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构 |
| 程勇鹏; 陈少武
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二内脊区两旁的第一和第二平板区分别有第一、第二、第三和第四掺杂区域，该第一、第二、第三和第四掺杂区域在第一和第二平板区时为PIN电学调制结构；在第一和第二调制臂内侧相邻的第二和第三两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第一极，在另外第一和第四两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第二极；一高频驱动电路，该高频驱动电路的两端分别与高频驱动电路的第一、二极相连。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910088462.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910088462.2
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22047
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
程勇鹏,陈少武. 提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构. CN200910088462.2.
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