| 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 |
| 晏磊; 于丽娟
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤2：将步骤1处理后的GaAs、InP晶片，分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理；步骤3：在键合夹具的协助下，将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合；步骤4：将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干，除去贴合晶片表面水份和界面部分水气，形成晶片间范德瓦耳斯结合；步骤5：进行低温退火，退火后对GaAs晶片单面减薄；步骤6：进行高温退火，最终实现键合界面的原子原子键结合，完成GaAs、InP晶片低温键合过程。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010128380.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010128380.9
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21953
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
晏磊,于丽娟. 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法. CN201010128380.9.
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