SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
同侧输入、输出的微环传感器结构及其封装方法
王春霞; 苏保青; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构,包括:多个微环谐振器,该多个微环谐振器制作于SOI片上,形成微环谐振器阵列,每个微环谐振器包括一个输入波导和一个输出波导以及一个微环,该微环位于输入波导和输出波导之间;一光纤阵列,该光纤阵列并排镶嵌在石英材料内;其中微环谐振器阵列的输入波导和输出波导分别与光纤阵列中的光纤对准连接,形成同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN201010143080.8
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010143080.8
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21943
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王春霞,苏保青,陈弘达. 同侧输入、输出的微环传感器结构及其封装方法. CN201010143080.8.
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