| 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 |
| 白安琪; 成步文; 左玉华; 王启明
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种半导体纳米柱阵列结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一半导体衬底上生长铝层；步骤2：对铝层进行阳极氧化，形成孔洞由表面直达半导体衬底，形成多孔氧化铝膜；步骤3：在多孔氧化铝膜的表面淀积金属，在多孔氧化铝膜的孔洞内形成金属点；步骤4：将多孔氧化铝膜湿法腐蚀掉，从而在半导体衬底上形成金属点阵列；步骤5：以金属点阵列为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，去掉金属点阵列，在半导体衬底上形成半导体纳米柱阵列。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010183395.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010183395.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21929
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
白安琪,成步文,左玉华,等. 半导体纳米柱阵列结构的制作方法. CN201010183395.5.
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