Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件 | |
孙晓明; 郑厚植; 甘华东 ; 申超
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 专利号 | CN200910083493.9 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910083493.9 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21873 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓明,郑厚植,甘华东,等. 可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件. CN200910083493.9. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910083493.9.pdf（332KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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