一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法

	一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法
	李京波; 朱峰
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-08-30
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明薄膜太阳能电池制备技术领域，公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤2：将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中，沉积透明电极层；步骤3：将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗；步骤4：将清洗干净的基片放入生长设备中，生长CdS薄膜，完成太阳能电池CdS窗口层的制备。利用本发明，提高了器件的性能，可以利用该CdS薄膜制备大面积、低成本的太阳电池及其他光学器件，使CdS薄膜中杂质浓度降低，增强了CdS薄膜的质量。
部门归属	半导体超晶格国家重点实验室
专利号	CN200910241693.2
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN200910241693.2
专利代理人	周国城
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21855
专题	半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	李京波,朱峰. 一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法. CN200910241693.2.