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| 一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 | |
朱峰; 李京波
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法，包括以下步骤：利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净，并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中，沉积一层金属扩散层；将沉积了金属扩散层的InAs单晶片放入石英管中，并抽真空后密封；将真空封闭的石英管放入加热设备中恒温加热，加速扩散过程；将加热过的石英管切割开后，取出InAs单晶片，并用酸性液体刻蚀掉多余金属。用化学洗剂将InAs单晶片清洗干净，完成制备。利用本发明，能够制备出InAs体单晶的温度在300K以上的铁磁性半导体材料，且整个制备过程中所使用的设备都是技术成熟，产业常用的设备，而且缩短了制备成本和制备时间，非常利于推广。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 专利号 | CN200910241700.9 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910241700.9 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21853 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱峰,李京波. 一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法. CN200910241700.9. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910241700.9.pdf（295KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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