| Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping | |
| Shi MJ; Zeng XB; Liu SY; Peng WB; Xiao HB; Liao XB; Wang ZG; Kong GL | |
| 2010 | |
| 会议名称 | 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS23) |
| 会议录名称 | Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics VOL 7 NO 3-4, 7 (3-4): 1109-1111 2010 |
| 会议日期 | AUG 23-28, 2009 |
| 会议地点 | Utrecht, NETHERLANDS |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21415 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi MJ,Zeng XB,Liu SY,et al. Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping[C],2010. |
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| Dependence of transp（157KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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