Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots
	Zhu HJ; Wang ZM; Sun BQ; Feng SL; Jiang DS; Zheng HZ; Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
	1999
会议名称	5th International Symposium on Quantum Confinement - Nanostructures
会议录名称	PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19)
页码	318-319
会议日期	NOV 02-05, 1998
会议地点	BOSTON, MA
出版地	65 S MAIN ST, PENNINGTON, NJ 08534-2839 USA
出版者	ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC
ISBN	1-56677-213-3
部门归属	chinese acad sci, inst semicond, natl lab superlattices & microstruct, beijing 100083, peoples r china
其他摘要
学科领域	半导体物理
主办者	Dielect Sci & Technol.; Electrochem Soc, Electr, Luminescence & Display Mat Div.
收录类别	CPCI-S
语种	英语
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13813
专题	中国科学院半导体研究所（2009年前）
通讯作者	Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhu HJ,Wang ZM,Sun BQ,et al. Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots[C]. 65 S MAIN ST, PENNINGTON, NJ 08534-2839 USA:ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC,1999:318-319.