SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
借助保护层的取样光栅的制作方法
王 桓; 阚 强; 周 帆; 王宝君; 朱洪亮
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2010-01-13 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract一种借助保护层的取样光栅的制作方法,包括:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层;在保护层之上,均匀地涂上一层光刻胶,借助于取样光栅光刻版,在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域;将曝光后的结构进行选择性腐蚀;去除剩余的光刻胶,并清洗,将半导体波导结构再涂上一层均匀的光刻胶,并对其进行全息曝光,使光刻胶上印制出光栅轮廓,然后显影;对半导体波导结构进行离子刻蚀,然后再用腐蚀液修整光栅形貌,此时光栅间隔地周期性地制作于保护层和上波导层之上;对半导体波导结构进行选择性腐蚀,将剩余的保护层腐蚀掉,从而在上波导层上获得完整的取样光栅。
Application Date2008-07-09
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810116415.X
Patent Agent汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13424
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王 桓,阚 强,周 帆,等. 借助保护层的取样光栅的制作方法[P]. 2010-08-12.
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