一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法
	郑婉华; 刘安金; 邢名欣; 渠宏伟; 陈微; 周文君; 陈良惠
	2010-08-12
Rights Holder	中国科学院半导体研究所
Date Available	2010-03-03 ; 2010-08-12
Country	中国
Subtype	发明
Abstract	本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。利用本发明，能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角，提高垂直腔面发射激光器的性能。
Application Date	2008-08-27
Language	中文
Status	实质审查的生效
Application Number	CN200810118964.0
Patent Agent	周国城:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type	专利
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13374
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	郑婉华,刘安金,邢名欣,等. 一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法[P]. 2010-08-12.

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