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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体... [116]
集成光电子学国家重... [13]
纳米光电子实验室 [1]
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赵德刚 [130]
张书明 [53]
朱建军 [48]
江德生 [38]
王玉田 [21]
陈良惠 [5]
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2011 [6]
2010 [10]
2009 [19]
2008 [15]
2007 [10]
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半导体学报 [19]
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纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 076104-1-076104-4
Authors:
陈贵锋
;
谭小动
;
万尾甜
;
沈俊
;
郝秋艳
;
唐成春
;
朱建军
;
刘宗顺
;
赵德刚
;
张书明
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Submit date:2012/07/17
246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制
期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
Authors:
颜廷静
;
种明
;
赵德刚
;
张爽
;
陈良惠
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Submit date:2011/08/16
一种测量p-GaN载流子浓度的方法
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 721-728
Authors:
周梅
;
赵德刚
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Submit date:2011/08/16
器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响
期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
Authors:
邓懿
;
赵德刚
;
吴亮亮
;
刘宗顺
;
朱建军
;
江德生
;
张书明
;
梁骏吾
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Submit date:2011/08/16
高阻氮化镓外延层的异常光吸收
期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
Authors:
刘文宝
;
赵德刚
;
江德生
;
刘宗顺
;
朱建军
;
张书明
;
杨辉
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Submit date:2011/08/16
Time delay in InGaN multiple quantum well laser diodes at room temperature
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: Article no.124211
Authors:
Jin LA
;
Jiang DS
;
Zhang ZM
;
Liu ZS
;
Zeng C
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Wang H
;
Duan LH
;
Yang H
;
Jin, LA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jilian@red.semi.ac.cn
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Submit date:2011/07/05
Ingan
Laser Diode
Delay Effect
Saturable Absorber
Traps
Light Emission
Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
Authors:
Deng Y
;
Zhao DG
;
Le LC
;
Jiang DS
;
Wu LL
;
Zhu JJ
;
Wang H
;
Liu ZS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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Submit date:2011/07/05
Nitride Materials
Crystal Growth
Composition Fluctuations
X-ray Diffraction
Layer
Effects of AlGaN layer parameter on ultraviolet response of n(+)-GaN/i-AlxGa1 (-) N-x/n(+)-GaN structure ultraviolet-infrared photodetector
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
Authors:
Deng Y
;
Zhao DG
;
Wu LL
;
Liu ZS
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Liang JW
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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Submit date:2011/07/05
Gan
Ultraviolet And Infrared Photodetector
Quantum Efficiency
Solar-blind
Light extraction efficiency improvement and strain relaxation in InGaN/GaN multiple quantum well nanopillars
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: Article no.84339
Authors:
Zhu JH
;
Wang LJ
;
Zhang SM
;
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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Submit date:2011/07/05
The investigation on carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well layers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: Article no.93117
Authors:
Zhu JH
;
Zhang SM
;
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Qiu YX
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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Submit date:2011/07/05
Diodes
Efficiency
立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 723, 期号: 0
Authors:
赵德刚
;
杨辉
;
徐大鹏
;
李建斌
;
王玉田
;
郑联喜
;
李顺峰
;
王启明
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Submit date:2010/11/23
Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs(100) Substrate by MOVPE
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 921
Authors:
徐大鹏
;
杨辉
;
赵德刚
;
郑联喜
;
李建斌
;
王玉田
;
李顺峰
;
吴荣汉
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Submit date:2010/11/23
高质量立方相InGaN的生长
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 548
Authors:
李顺峰
;
杨辉
;
徐大鹏
;
赵德刚
;
孙小玲
;
王玉田
;
张书明
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Submit date:2010/11/23
立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:
冯志宏
;
杨辉
;
徐大鹏
;
赵德刚
;
王海
;
段俐宏
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Submit date:2010/11/23
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 881-885
Authors:
沈晓明
;
张秀兰
;
孙元平
;
赵德刚
;
冯淦
;
张宝顺
;
张泽洪
;
冯志宏
;
杨辉
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Submit date:2010/11/23
GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 1001-1005
Authors:
孙元平
;
张泽洪
;
赵德刚
;
冯志宏
;
付羿
;
张书明
;
杨辉
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Submit date:2010/11/23
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
Authors:
孙元平
;
付羿
;
渠波
;
王玉田
;
冯玉宏
;
赵德刚
;
郑新和
;
段俐宏
;
李秉臣
;
张书明
;
杨辉
;
姜晓明
;
郑文莉
;
贾全杰
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Submit date:2010/11/23
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制
期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 737-742
Authors:
冯淦
;
郑新和
;
朱建军
;
沈晓明
;
张宝顺
;
赵德刚
;
孙元平
;
张泽洪
;
王玉田
;
杨辉
;
梁骏吾
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Submit date:2010/11/23
GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量
期刊论文
中国科学. G辑,物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 122-125
Authors:
冯淦
;
朱建军
;
沈晓明
;
张宝顺
;
赵德刚
;
王玉田
;
杨辉
;
梁骏吾
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Submit date:2010/11/23
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283
Authors:
张泽洪
;
孙元平
;
赵德刚
;
段俐宏
;
王俊
;
沈晓明
;
冯淦
;
冯志宏
;
杨辉
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Submit date:2010/11/23