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一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236704.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  吕雪芹;  金鹏;  王占国
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光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐光华;  徐波;  叶小玲;  金鹏;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  姜立稳;  孔金霞;  孔宁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖虎;  孟宪权;  朱振华;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王佐才;  吕雪芹;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng Yinsheng;  Ye Xiaoling;  Xu Bo;  Jin Peng;  Niu Jiebin;  Jia Rui;  Wang Zhanguo
Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/311  |  提交时间:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu J;  Lu XQ;  Jin P;  Meng XQ;  Wang ZG
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1287/413  |  提交时间:2011/07/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Li W;  Wang WY;  Jin P;  Wang ZG
Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1463/460  |  提交时间:2011/07/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Yu JL;  Zhou XL;  Ye XL;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1244/357  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1599/365  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖友贵;  金鹏;  李乙钢;  张存洲;  潘士宏;  梁基本
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  金鹏;  潘士宏;  梁基本
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张春玲;  赵凤瑗;  徐波;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙捷;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:857/267  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Yuoyuan;  Wang Zhanguo;  Xu Bo;  Jin Peng;  Zhang Chunling;  Guo Xia;  Chen Min
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Xiuzhen;  Liu Fengqi;  Liu Junqi;  Jin Peng;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李凯;  叶小玲;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周立;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁志梅;  吴巨;  金鹏;  吕雪芹;  王占国
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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Spectrum  
Upconversion emission of a Er3+-doped glass microsphere under 633 nm excitation 会议论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 35 (4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wang JY;  Ji GR;  Jin P;  Zhao LJ;  Zhang CZ;  Wang JY Bewing Univ Technol Coll Appl Sci Beijing 100022 Peoples R China. 电子邮箱地址: wangjiyou@bjut.edu.cn
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Upconversion  Doped-er3++ Glass Microsphere  Morphology-dependent Resonances