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| 一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183447.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010191164.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256972.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 一种双结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531394.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531371.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 韩培德
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| 制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人: 韩培德
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| 锗/硅混合集成的波导型光电转换器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德
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| 全硅波导型光电转换器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德
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| 一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德
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| 一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德
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| 一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德
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| 一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德
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| 一种用于大面积平面光波回路的控温方法及控温模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴黎; 韩培德; 全宇军; 陆晓东; 叶志成
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| 一种基于混合集成的光子晶体滤波器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德; 陆晓东; 全宇军; 叶志成; 窦金锋
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| 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-09-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德; 陈振
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| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成
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| 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德
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| 一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 王占国
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| 一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 韩培德; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 朱勤生; 王占国
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| 阵列波导光栅型梳状滤波器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德; 窦金锋; 叶志成; 王红杰; 胡雄伟
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