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| 竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:932/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 真空镀膜机加热装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-07-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 路秀真; 常秀兰; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1021/152  |  提交时间:2009/06/11 |
| 水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(705Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:764/110  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国 Adobe PDF(718Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 王书学; 朱洪亮 Adobe PDF(596Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1169/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光纤激光器谐振腔的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯小明; 马骁宇; 王晓薇; 方高瞻; 王颖 Adobe PDF(211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1431/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1594/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1055/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 脊形波导量子级联激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 路秀真; 常秀兰; 胡颖; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1001/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1090/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:966/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(383Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1099/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:774/123  |  提交时间:2009/06/11 |
| 表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:917/132  |  提交时间:2009/06/11 |
| 中间镜式半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1288/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化铝交叠式单片集成微通道热沉 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马杰慧; 方高瞻; 马骁宇; 蓝永生 Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 杨辉 Adobe PDF(451Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1063/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林 Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1291/175  |  提交时间:2009/06/11 |