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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang J;  You JB;  Chen CC;  Hsu WC;  Tan HR;  Zhang XW;  Hong ZR;  Yang Y;  Yang, J (reprint author), Univ Calif Los Angeles, Dept Mat Sci & Engn, Los Angeles, CA 90095 USA. yangy@ucla.edu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Y;  Zhang XW;  Yin ZG;  Qu S;  You JB;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Zhang SG;  Tan HR;  Ying J;  Yin ZG;  Zhu QS;  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  游经碧;  张兴旺;  高云;  董敬敬;  陈诺夫
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一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  董敬敬;  张兴旺;  游经碧;  高云
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制作ZnO基异质结发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183370.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张曙光;  尹志岗;  张兴旺;  游经碧
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