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垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 206-209
Authors:  黄亚军;  刘志强;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜;  李晋闽
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阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 283-286
Authors:  潘岭峰;  李琪;  刘志强;  王晓峰;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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