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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan ; Ji An; Yang Fuhua
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| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张杨; 刘剑; 李艳; 杨富华
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| PECVD和ICP刻蚀技术及应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 李艳
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| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳
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| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华
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| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华
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| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳
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