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超辐射发光二极管的应用 期刊论文
红外技术, 2010, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 297-303
Authors:  王佐才;  吕雪芹;  金鹏;  王占国
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二次退火制备I I I-V族半导体量子点 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
Authors:  肖虎;  孟宪权;  朱振华;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  金灿;  金鹏;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  焦玉恒;  吴巨;  徐波;  金鹏;  王占国
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长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘宁;  金鹏;  王占国
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InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 2121-2124
Authors:  梁志梅;  吴巨;  金鹏;  吕雪芹;  王占国
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A面(11-20)ZnO薄膜中杂质的偏振PL谱研究 期刊论文
光散射学报, 2008, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 186-189
Authors:  周立;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘宁;  金鹏;  王占国
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