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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  王占国
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准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  丁颖;  王圩;  王书学;  朱洪亮
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氮化镓紫外色度探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵德刚;  杨辉
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光纤激光器谐振腔的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  冯小明;  马骁宇;  王晓薇;  方高瞻;  王颖
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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王勇刚;  马骁宇
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中间镜式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王勇刚;  马骁宇
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一种氮化铝交叠式单片集成微通道热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  马杰慧;  方高瞻;  马骁宇;  蓝永生
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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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