|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
 Adobe PDF(345Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1395/174 | 提交时间：2011/08/30 |
| 具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱继红; 张书明; 朱建军
Adobe PDF(355Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1042/156 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(448Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1230/168 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(582Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1247/131 | 提交时间：2011/08/30 |
| 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241546.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
Adobe PDF(540Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1018/156 | 提交时间：2011/08/30 |
| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(403Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1127/161 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
Adobe PDF(453Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1123/178 | 提交时间：2011/08/30 |
| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉
Adobe PDF(619Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1318/163 | 提交时间：2011/08/30 |
| 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084158.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
Adobe PDF(303Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1529/187 | 提交时间：2011/08/30 |
