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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
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窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教青;  赵谦;  王圩;  朱洪亮
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基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教青;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Zhou GT;  Wu J;  Zhou F;  Wang BJ;  Wang LF;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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半导体光电子功能材料集成技术平台 成果
2006
主要完成人:  王圩;  朱红亮;  赵玲娟;  周帆;  潘教青;  王宝军;  边静
收藏  |  浏览/下载：2574/0  |  提交时间：2010/04/13
电子功能材料  
Anomalous temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates 会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Zhou JT;  Cheng YB;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(245Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1123/227  |  提交时间：2010/03/29
Chemical-vapor-deposition  
Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I 会议论文
Nanophotonic Materials III丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Diego, CA, AUG 13-14, 2006
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Zhou F;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inp  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1064/206  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Ctr Optoelect Technol, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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