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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv YJ;  Lin ZJ;  Meng LG;  Yu YX;  Luan CB;  Cao ZF;  Chen H;  Sun BQ;  Wang ZG;  Lin, ZJ (reprint author), Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China, linzj@sdu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DB;  Zhu HL;  Liang S;  Wang BJ;  Zhang YL;  Liu Y;  Kong DH;  Zhang W;  Wang H;  Wang LS;  Sun Y;  Zhang YX;  Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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Fabrication and Investigation of High Efficiency Evanescently Coupled Uni-Traveling Carrier Photodiodes 会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:  Zhang YX;  Liao ZY;  Sun Y;  Chen WX;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1635/307  |  提交时间：2010/03/09
Optimization  
An Improved Selective Area Growth Method in Fabrication of Electroabsorption Modulated Laser 会议论文
AOE 2007 ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, OCT 17-19, 2007
作者:  Wang H;  Zhu HL;  Cheng YB;  Chen D;  Zhang W;  Wang LS;  Zhang YX;  Sun Y;  Wang W;  Wang, H, CAS, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin G;  Sun, GS;  Li JM;  Zhang YX;  Lei W;  Zhao WS;  Zeng YP;  Xin, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gaoxin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷;  张永兴;  曾一平
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Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, GS;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Wang J;  Zhao DG;  Feng G;  Fu Y;  Zhang SM;  Zhang ZH;  Feng ZH;  Bai YX;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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