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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang TM (Huang TianMao); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai YM (BaiYiMing); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Zhang H (Zhang Han); Wang Y (Wang Yu); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi); Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang YS (Wang YanShuo); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai; YM (Bai YiMing); Wang Y (Wang Yu); Huang TM (Huang TianMao); Zhang H (Zhang Han); Shi HW (Shi HuiWei); Wang, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yswang@semi.ac.cn; nfchen@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang H (Zhang Han); Chen NF (Chen NuoFu); Wang Y (Wang Yu); Zhang XW (Zhang XingWang); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Wang YS (Wang YanSuo); Huang TM (Huang TianMao); Bai YM (Bai YiMing); Fu Z (Fu Zhen)
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| 石墨衬底上多晶硅薄膜的制备及表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 施辉伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄添懋; 陈诺夫; 张兴旺; 白一鸣; 尹志岗; 施辉伟; 张汉; 汪宇; 王彦硕; 杨晓丽
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| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
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