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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y;  Li MF;  Shang XJ;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zcniu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui M;  Zhou TF;  Wang MR;  Huang J;  Huang HJ;  Zhang JP;  Xu K;  Yang H;  Cui, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China, tfzhou2007@sinano.ac.cn;  kxu2006@sinano.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiong KL;  Lu SL;  Dong JR;  Zhou TF;  Jiang DS;  Wang RX;  Yang H;  Yang, H, CAS, Suzhou Inst Nano Tech & Nano Bion, Ruoshui Rd 398, Suzhou 215125, Peoples R China.
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1346/436  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, N;  Lu, HX;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Artificial Neural Networks, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ningli@red.semi.ac.cn
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Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H;  Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Wafer Bunding  Cubic Gan  Light-emitting-diodes  Field-effect Transistor  Single-crystal Gan  Microwave Performance  Mirror  Junction  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JQ;  Nori F;  Nori F,RIKEN,Inst Phys & Chem Res,Wako,Saitama 3510198,Japan. 电子邮箱地址: nori@umich.edu
Adobe PDF(109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：826/248  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chen NF;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1161/329  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(1909Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：846/189  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu ZH;  Liao XB;  Zeng XB;  Xu YY;  Zhang SB;  Diao HW;  Kong GL;  Hu ZH,Chinese Acad Sci,State Lab Surface Phys,Inst Semiconductor,Beijing 100083,Peoples R China.
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Studies of 6H-SiC devices 会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sic  Schottky  Pn Junction Diodes  Mos Capacitor  Junction Diodes