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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin CY;  Huang YZ;  Yu LJ;  Deng SL;  Jin, CY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  金潮渊;  黄永箴;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin CY;  Huang YZ;  Yu LJ;  Deng SL;  Jin, CY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1083/457  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  金潮渊;  黄永箴
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半导体光放大器的数值分析 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  金潮渊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, CY;  Guo, WH;  Huang, YZ;  Yu, LJ;  Jin, CY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  金潮渊;  芦秀玲;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭进;  胡冰;  胡承勇;  卞松保;  杨富华;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李锋;  王树堂;  曾靖;  樊爱香;  夏彩虹;  孙捷;  胡春阳;  白金花;  陈心敏
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