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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Xue SW;  Li JB;  Gao F
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1166/422  |  提交时间：2011/07/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai, Yanqin;  Tang, Gang;  Li, Jingbo;  Gai, Y.(yqgai@semi.ac.cn)
Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：900/352  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu BL;  Zhu SJ;  Zhao XZ;  Su FH;  Li GH;  Wu XG;  Wu J;  Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Minist Educ, Key Lab Ferrous Met & Resources Utilizat, Wuhan 430081, Peoples R China. zhubailin97@hotmail.com
Adobe PDF(591Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1691/409  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YB;  Xu Y;  Zhang Y;  Yu X;  Song GF;  Chen LH
Adobe PDF(1205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1334/305  |  提交时间：2011/07/07
Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2280/471  |  提交时间：2010/10/11
Zinc Oxide  Doping  Defect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF (Xu P. F.);  Nie SH (Nie S. H.);  Meng KK (Meng K. K.);  Wang SL (Wang S. L.);  Chen L (Chen L.);  Zhao JH (Zhao J. H.)
Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1092/277  |  提交时间：2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ying J (Ying J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Tan HR (Tan H. R.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1344/332  |  提交时间：2010/12/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding WC;  Liu Y;  Zhang Y;  Guo JC;  Zuo YH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Ding WC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wcd04@semi.ac.cn
Adobe PDF(175Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1325/307  |  提交时间：2010/03/08
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1640/274  |  提交时间：2010/03/09
In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1415/438  |  提交时间：2010/03/08