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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Liu;  De Gang Zhao;  De Sheng Jiang;  Ping Chen;  Zong Shun Liu;  Jian Jun Zhu;  Xiang Li;  Ming Shi;  Dan Mei Zhao;  Jian Ping Liu;  Shu Ming Zhang;  Hui Wang;  Hui Yang
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一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  赵丹梅;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平
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