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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei LM;  Gao KH;  Liu XZ;  Zhou WZ;  Cui LJ;  Zeng YP;  Yu G;  Yang R;  Lin T;  Shang LY;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Austing DG;  Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao JH (Zhao Ji-Hong);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Chen QD (Chen Qi-Dai);  Su W (Su Wen);  Jiang Y (Jiang Ying);  Chen ZG (Chen Zhan-Guo);  Jia G (Jia Gang);  Sun HB (Sun Hong-Bo);  Sun, HB, Jilin Univ, Coll Elect Sci & Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Changchun 130023, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenqd@jlu.edu.cn;  hbsun@jlu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  代娴;  林铁;  商丽燕;  崔利杰;  曾一平;  褚君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ;  Huang ZM;  Qiu ZJ;  Lin T;  Shang LY;  Li DL;  Gao HL;  Cui LJ;  Zeng YP;  Guo SL;  Gui YS;  Dai N;  Chu JH;  Chu, JH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, WZ (Zhou, W. Z.);  Lin, T (Lin, T.);  Shang, LY (Shang, L. Y.);  Yu, G (Yu, G.);  Huang, ZM (Huang, Z. M.);  Guo, SL (Guo, S. L.);  Gui, YS (Gui, Y. S.);  Dai, N (Dai, N.);  Chu, JH (Chu, J. H.);  Cui, LJ (Cui, L. J.);  Li, DL (Li, D. L.);  Gao, HL (Gao, H. L.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Chu, JH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu ZJ;  Gui YS;  Cui LJ;  Zeng YP;  Huang ZM;  Shu XZ;  Dai N;  Guo SL;  Chu JH;  Qiu, ZJ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1015/288  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu ZJ;  Gui YS;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Zhang XX;  Zeng YP;  Qiu, ZJ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qzj@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  桂永胜;  崔利杰;  曾一平;  黄志明;  疏小舟;  戴宁;  郭少令;  禇君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhuang QD;  Yoon SF;  Dai JH;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang HJ;  Liu B,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Lab Opt Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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