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GaAs 基图形化衬底制备与纳米结构控位生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  金兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Liu JP (Liu Junpeng);  Tan FR (Tan Furui);  Jin L (Jin Lan);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1621/520  |  提交时间：2010/10/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan FR (Tan Furui);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Zhang CS (Zhang Changsha);  Shi MJ (Shi Mingji);  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Jin L (Jin Lan);  Bi Y (Bi Yu);  Cao J (Cao Jie);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Hou YB (Hou Yanbing);  Teng F (Teng Feng);  Feng ZH (Feng, Zhihui);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102169820A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  金兰;  曲胜春;  徐波
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广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  刘孔;  曲胜春;  谭付瑞;  唐爱伟;  金兰;  张君梦;  徐文清
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