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宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘雅丽
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Algan/algan 量子阱  Gan/aln量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化  
Al(Ga)N材料光致发光性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王维颖
Adobe PDF(4605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1097/89  |  提交时间：2014/06/03
Algan  深紫外光致发光  高温热退火  Gan/algan量子阱  界面粗糙  偏振特性