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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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| 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 徐晓华; 倪海桥; 徐应强 ; 韩勤; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐晓华; 牛智川; 倪海桥; 徐应强; 张纬; 贺正宏; 韩勤; 吴荣汉; 江德生
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 屈玉华; 江德生; 边历峰; 孙征; 牛智川; 徐晓华
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| 气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 徐晓华; 徐应强; 张纬; 韩勤; 吴荣汉
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| (GaAsSb-InGaAs)/GaAs 双层复合量子阱的分子束外延生长与器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 徐晓华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 倪海桥; 徐晓华; 张纬; 徐应强; 牛智川; 吴荣汉
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