|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| GaN 基紫外探测器关键问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 吴亮亮
 Adobe PDF(4446Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1064/99 | 提交时间：2013/06/20 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng Y ; Zhao DG; Le LC; Jiang DS; Wu LL; Zhu JJ; Wang H; Liu ZS; Zhang SM; Yang H; Liang JW; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(311Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1744/520 | 提交时间：2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng Y; Zhao DG; Wu LL; Liu ZS; Zhu JJ; Jiang DS; Zhang SM; Liang JW; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(853Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1272/230 | 提交时间：2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓懿; 赵德刚; 吴亮亮; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 张书明; 梁骏吾
Adobe PDF(853Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1423/318 | 提交时间：2011/08/16 |
| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
Adobe PDF(439Kb) | 收藏 | 浏览/下载：716/87 | 提交时间：2014/10/31 |
| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉
Adobe PDF(477Kb) | 收藏 | 浏览/下载：623/104 | 提交时间：2014/11/24 |
| 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 杨静; 赵德刚; 李亮; 吴亮亮; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
Adobe PDF(418Kb) | 收藏 | 浏览/下载：805/105 | 提交时间：2014/11/24 |
