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Deep Energy Levels Formed by Se Implantation in Si 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: Article no.36108
Authors:  Gao LP;  Han PD;  Mao X;  Fan YJ;  Hu SX;  Zhao CH;  Mi YH;  Han, PD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. pdhan@semi.ac.cn
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Silicon  Photodetector  
制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
Inventors:  韩培德
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锗/硅混合集成的波导型光电转换器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韩培德
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全硅波导型光电转换器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韩培德
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高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作 期刊论文
半导体光电, 2009, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 381-384
Authors:  冉启江;  韩培德;  全宇军;  高利朋;  曾凡平;  赵春华
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与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究 期刊论文
光通信技术, 2009, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 38-40
Authors:  曾凡平;  韩培德;  高利朋;  冉启江;  毛雪;  赵春华;  米艳红
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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韩培德
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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韩培德
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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韩培德
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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韩培德
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