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Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H;  Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Wafer Bunding  Cubic Gan  Light-emitting-diodes  Field-effect Transistor  Single-crystal Gan  Microwave Performance  Mirror  Junction  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu Y;  Yang H;  Zhao DG;  Zheng XH;  Li SF;  Sun YP;  Feng ZH;  Wang YT;  Duan LH;  Fu Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Zhao DG;  Wang YT;  Sun XL;  Wu RH;  Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
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Cubic Gan  Buffer Layer  Atomic Force Microscopy  Reflection High-energy Electron Diffraction  Movpe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Wang YT;  Zhao DG;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100864,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Ge H;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Zhao DG;  Wang YT;  Sun XL;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Inst Semicond,Beijing 100864,Peoples R China.
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