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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [4]
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发表日期
2004 [4]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2004
作者:韩培德
第一作者
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一种制作白光发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈振
;
韩培德
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
朱勤生
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen Z
;
Chua SJ
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Han PD
;
Wang ZG
;
Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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浏览/下载:1500/329
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提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Semiconducting Iii-v Materials
Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures
Carrier Confinement
Effect Transistors
Photoluminescence
Mobility
Heterojunction
Interface
Hfets
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XX
;
Chen Z
;
Li DB
;
Wu JJ
;
Li JM
;
Sun XH
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郜定山
;
李建光
;
王红杰
;
安俊明
;
李健
;
韩培德
;
胡雄伟
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提交时间:2010/11/23