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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专利 [3]
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限定条件
发表日期:2008
作者:段瑞飞
第一作者
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95
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WOS被引频次降序
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一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
段瑞飞
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(541Kb)
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浏览/下载:1055/215
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提交时间:2009/06/11
一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
段瑞飞
;
刘喆
;
钟兴儒
;
魏同波
;
马平
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(616Kb)
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收藏
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浏览/下载:1287/234
  |  
提交时间:2009/06/11
砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高宏玲
;
曾一平
;
段瑞飞
;
王宝强
;
朱战平
;
崔利杰
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浏览/下载:1414/178
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei TB
;
Duan RF
;
Wang JX
;
Li JM
;
Huo ZQ
;
Zeng YP
;
Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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浏览/下载:1261/422
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
林郭强
;
曾一平
;
段瑞飞
;
魏同波
;
马平
;
王军喜
;
刘喆
;
王晓亮
;
李晋闽
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma Zhifang
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Wang Yutian
;
Jiang Desheng
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Zhao Degang
;
Zhang Shuming
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Zhu Jianjun
;
Liu Zongshun
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Sun Baojuan
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Duan Ruifei
;
Yang Hui
;
Liang Junwu
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提交时间:2010/11/23