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| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 梁凌燕; 叶小玲 ; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang CG; Chen YH; Xu B; Ye XL; Wang ZG; Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang S; Zhu HL; Ye XL; Pan JQ; Zhao LJ; Wang W; Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang S; Zhu HL; Ye XL; Wang W; Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liangsong@red.semi.ac.cn
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| GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lei W; Wang YL; Chen YH; Jin P; Ye XL; Xu B; Wang ZG; Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wen.lei@uni-due.de
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu LJ; Chen YH; Ye XL; Huang XQ; Liang LY; Ding F; Wang ZG; Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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