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Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Kang JY;  Shen YW;  Wang ZG;  Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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Defects  Gan  Photoluminescence  Electronic Structures  Yellow Luminescence  Epitaxial-films  Mg