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GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  曾清
Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:786/66  |  提交时间:2016/05/31
石墨烯+apcvd+iii 族氮化物+mocvd  
Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王克超
Microsoft Word(21940Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:645/42  |  提交时间:2016/05/30
  氮化镓  外延  单芯片  白光led  湿法腐蚀  多量子阱  Mocvd  纳米线阵列  半极性面