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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yongzheng Hu, Lijun Wang , Fengqi Liu,Jinchuan Zhang, Junqi Liu,and Zhanguo Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, L;  Zhou, HY;  Qu, SC;  Wang, ZG;  Jin, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912,A 35,Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China,jinlan06@semi.ac.cn;  qsc@semi.ac.cn
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